בתעשיית האלקטרוניקה והאוטומציה, היישום שלמכשירי MOSFET(טרנזיסטורי אפקט שדה של מתכת-תחמוצת-מוליכים למחצה) הפך לגורם מפתח בשיפור הביצועים של ווסתי מהירות אלקטרוניים (ESR).מאמר זה יחקור כיצד פועלים MOSFET וכיצד הם ממלאים תפקיד חיוני בבקרת מהירות אלקטרונית.
עקרון העבודה הבסיסי של MOSFET:
MOSFET הוא התקן מוליכים למחצה שמפעיל או מכבה את זרימת הזרם החשמלי באמצעות בקרת מתח.בווסת מהירות אלקטרונית, MOSFETs משמשים כרכיבי מיתוג כדי לווסת את זרימת הזרם למנוע, מה שמאפשר שליטה מדויקת על מהירות המנוע.
יישומים של MOSFETs בווסת מהירות אלקטרונית:
תוך ניצול מהירות המיתוג המצוינת ויכולות בקרת הזרם היעילות שלו, MOSFETs נמצאים בשימוש נרחב בווסתי מהירות אלקטרוניים במעגלי PWM (Pulse Width Modulation).יישום זה מבטיח שהמנוע יכול לפעול ביציבות וביעילות בתנאי עומס שונים.
בחר את ה-MOSFET הנכון:
בעת תכנון וסת מהירות אלקטרוני, בחירת ה-MOSFET הנכון היא קריטית.פרמטרים שיש לקחת בחשבון כוללים מתח מקור ניקוז מרבי (V_DS), זרם דליפה רציף מרבי (I_D), מהירות מיתוג וביצועים תרמיים.
להלן מספרי חלקי היישומים של WINSOK MOSFETs בווסתי מהירות אלקטרוניים:
| מספר חלק | תְצוּרָה | סוּג | VDS | תעודה מזהה (א) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | חֲבִילָה | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | מקסימום | מינימום | טיפ. | מקסימום | טיפ. | מקסימום | (pF) | ||||
| יחיד | נ-צ' | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| יחיד | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| יחיד | נ-צ' | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| יחיד | נ-צ' | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| יחיד | נ-צ' | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
מספרי החומרים המתאימים הם כדלקמן:
WINSOK WSD3050DN מספר חומר תואם: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542.ONSEMI, Fairchild NTTFS493939N, NTTFS4CANSISSA9. C.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO-SEM PE5G6EA.
WINSOK WSD30L40DN מספר חומר מתאים: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 מספר חומר תואם: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DPlST1ST1ST1ST1ST1STL5DNL,SiRA80DP,SiRA80DP,SiRA80DP,SiRA80DP,SiRA80DP,SiRA80DP,SiRA80DP,S. N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30160DN56 corresponding material number: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO-SEM PKE10BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
WINSOK WSD30150DN56 מספר חומר מתאים: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
מטב את הביצועים של וסת המהירות האלקטרוני:
על ידי אופטימיזציה של תנאי הפעולה ועיצוב המעגלים של ה-MOSFET, ניתן לשפר עוד יותר את הביצועים של וסת המהירות האלקטרוני.זה כולל הבטחת קירור נאות, בחירת מעגל הדרייבר המתאים, והבטחה שגם רכיבים אחרים במעגל יכולים לעמוד בדרישות הביצועים.
זמן פרסום: 26 באוקטובר 2023
