טכנולוגיית טעינה מהירה, כחלק מרכזי בציוד אלקטרוני מודרני, מתפתחת ומתפתחת במהירות.מונעים על ידי שוק הטעינה המהירה, תעשיות כמו סמארטפונים וכלי רכב חשמליים דורשים יותר ויותר פתרונות טעינה מהירים ויעילים.חדשנות בטכנולוגיית טעינה מהירה לא רק מתמקדת בשיפור מהירות הטעינה, אלא גם שמה דגש על בטיחות.במבט לעתיד, טכנולוגיית הטעינה המהירה תשולב עם טעינה אלחוטית וטכנולוגיית סוללה יעילה יותר כדי להשיג קפיצת מדרגה איכותית ולהביא למשתמשים חווית טעינה נוחה וידידותית יותר לסביבה.עם התפתחות הטכנולוגיה והתרחבות השוק, תעשיית הטעינה המהירה צפויה להמשיך לשמור על צמיחה מהירה.
כאשר אנו מדברים על היישום שלMOSFETבטכנולוגיית טעינה מהירה, יש למעשה כמה כאבי ראש.
קודם כל, מכיוון שטעינה מהירה דורשת זרם גדול, הMOSFETיתחמם מאוד, ואיך להתמודד עם החום הזה הופך לבעיה גדולה.לאחר מכן, ישנם גם אתגרי יעילות.בעת מעבר מהיר, ה-MOSFET מאבד בקלות חלק מהאנרגיה שלו, מה שמשפיע על יעילות הטעינה.בנוסף, ציוד הטעינה המהירה מקווה להיות כמה שיותר קטן, אבל זה מחייב את ה-MOSFET להיות קטן וגם להתמודד עם בעיית החום.מכיוון ש-MOSFET עובר במהירות, הוא עלול להפריע לציוד אלקטרוני אחר, וזו גם בעיה.לבסוף, לסביבת הטעינה המהירה יש דרישות גבוהות לגבי עמידה במתח ובזרם של MOSFETs, המהווה מבחן לביצועים שלהם.עבודה בסביבה זו לאורך זמן עשויה גם להשפיע על חיי השירות והאמינות שלהם.בקיצור, למרות שה-MOSFET הוא קריטי לטעינה מהירה, הוא מתמודד עם אתגרים רבים.
WINSOKייתכן ש-MOSFET יוכל לעזור לך לפתור את הבעיות שלעיל.דגמי היישומים העיקריים של WINSOK MOSFET בטעינה מהירה הם:
| מספר חלק | תְצוּרָה | סוּג | VDS | תעודה מזהה (א) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | חֲבִילָה | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | מקסימום | מינימום | טיפ. | מקסימום | טיפ. | מקסימום | (pF) | ||||
| יחיד | נ-צ' | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| יחיד | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| יחיד | נ-צ' | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| יחיד | נ-צ' | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| יחיד | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| יחיד | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | נ-צ' | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| יחיד | נ-צ' | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
מספרי חומרי מותג אחרים התואמים ל-WINSOK MOSFET לעיל הם:
מספרי החומרים התואמים של WINSOK MOSFET WSD3050DN הם:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939AY09439N,8NNR,FAIRCHILD NTTFS49439N,8NSM4939N,8N5N0N5N5N5N5N5N. -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
מספרי החומרים המתאימים של WINSOK MOSFET WSD30L40DN הם:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P12037A, P1203EE.
מספרי החומרים המתאימים של WINSOK MOSFET WSP6020 הם:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor- PDS69.
מספרי החומרים המתאימים של WINSOK MOSFET WSP16N10 הם:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
מספרי החומרים התואמים של WINSOK MOSFET WSP4435 הם:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO48003A,A4O481,A48007A,A4803A,A4803A,A481Z,A4803A,A4803A,A481Z FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4435.
מספרי החומרים התואמים של WINSOK MOSFET WSP4407 הם:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3STHLL,9P3ST3SSHLL,9P3ST3SSHLL,9P3ST3SSHLL,9P3SSHLL 6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
מספרי החומרים התואמים של WINSOK MOSFET WSP4606 הם:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.5SMIT4Y 9P.558A.VISHYL4D6D6D4D9D4D6D4D9D9D9D4D9D4D9D4D6D9D 01CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
מספרי החומר התואמים של WINSOK MOSFET WSR80N10 הם:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10PN06 G.5PN30 G.10PN3G. .TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
זמן פרסום: 28 בנובמבר 2023
