WSD100N06GDN56 N-channel 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

מוצרים

WSD100N06GDN56 N-channel 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

תיאור קצר:

מספר חלק:WSD100N06GDN56

BVDSS:60V

תְעוּדַת זֶהוּת:100A

RDSON:3mΩ 

עָרוּץ:ערוץ N

חֲבִילָה:DFN5X6-8


פירוט המוצר

בַּקָשָׁה

תגיות מוצר

סקירת מוצר WINSOK MOSFET

המתח של WSD100N06GDN56 MOSFET הוא 60V, הזרם הוא 100A, ההתנגדות היא 3mΩ, הערוץ הוא N-channel, והחבילה היא DFN5X6-8.

אזורי יישום של WINSOK MOSFET

ספקי כוח רפואיים MOSFET, PDs MOSFET, רחפנים MOSFET, סיגריות אלקטרוניות MOSFET, מכשירים מרכזיים MOSFET וכלי חשמל MOSFET.

WINSOK MOSFET מתאים למספרי חומרים אחרים של המותג

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS מוליך למחצה MOSFXET PDC69.

פרמטרים של MOSFET

סֵמֶל

פָּרָמֶטֶר

דֵרוּג

יחידות

VDS

מתח מקור ניקוז

60

V

VGS

מתח מקור שער

±20

V

ID1,6

זרם ניקוז רציף TC=25°C

100

A

TC=100°C

65

IDM2

זרם ניקוז פועם TC=25°C

240

A

PD

פיזור כוח מרבי TC=25°C

83

W

TC=100°C

50

IAS

זרם מפולת, דופק בודד

45

A

EAS3

אנרגיית מפולת חד פעמית

101

mJ

TJ

טמפרטורת צומת מקסימלית

150

TSTG

טווח טמפרטורת אחסון

-55 עד 150

RθJA1

צומת התנגדות תרמית לסביבה

מצב יציב

55

/W

RθJC1

התנגדות תרמית-צומת למארז

מצב יציב

1.5

/W

 

סֵמֶל

פָּרָמֶטֶר

תנאים

מינימום

טיפ.

מקסימום

יְחִידָה

סטָטִי        

V(BR)DSS

מתח פירוק מקור ניקוז

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

זרם ניקוז מתח שער אפס

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

µA

 

TJ= 85 מעלות צלזיוס

   

30

IGSS

זרם דליפת שער

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

על מאפיינים        

VGS(TH)

מתח סף שער

VGS = VDS, IDS = 250µA

1.2

1.8

2.5

V

RDS(מופעל)2

התנגדות במצב של מקור ניקוז

VGS = 10V, ID = 20A

 

3.0

3.6

VGS = 4.5V, ID = 15A

 

4.4

5.4

מיתוג        

Qg

טעינת שער כולל

VDS=30V

VGS=10V

ID=20A

  58  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge   16  

nC

Qgd

טעינת שער-ניקוז  

4.0

 

nC

td (מופעל)

זמן עיכוב הפעלה

VGEN=10V

VDD=30V

ID=20A

RG=Ω

  18  

ns

tr

זמן עלייה להדלקה  

8

 

ns

td (כבוי)

זמן עיכוב כיבוי   50  

ns

tf

כיבוי זמן הסתיו   11  

ns

Rg

התנגדות גאט

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

0.7

 

Ω

דִינָמִי        

Ciss

בקיבולת

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

3458

 

pF

Coss

קיבול יציאה   1522  

pF

Crss

קיבול העברה הפוכה   22  

pF

מאפייני דיודה מקור ניקוז ודירוגים מקסימליים        

IS1,5

זרם מקור מתמשך

VG=VD=0V , כוח זרם

   

55

A

ISM

מקור פועם הנוכחי3     240

A

VSD2

מתח דיודה קדימה

ISD = 1A , VGS=0V

 

0.8

1.3

V

trr

זמן התאוששות הפוך

ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

חיוב שחזור הפוך   33  

nC


  • קוֹדֵם:
  • הַבָּא:

  • כתבו כאן את הודעתכם ושלחו אותה אלינו