WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

מוצרים

WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

תיאור קצר:


  • מספר דגם:WSD20L120DN56
  • BVDSS:-20V
  • RDSON:2.1mΩ
  • תְעוּדַת זֶהוּת:-120A
  • עָרוּץ:ערוץ P
  • חֲבִילָה:DFN5*6-8
  • מוצר קייצי:ה-MOSFET WSD20L120DN56 פועל ב-20 וולט ומושך זרם של -120 אמפר. יש לו התנגדות של 2.1 מיליאוהם, ערוץ P, ומגיע באריזת DFN5*6-8.
  • יישומים:סיגריות אלקטרוניות, מטענים אלחוטיים, מנועים, רחפנים, ציוד רפואי, מטענים לרכב, בקרים, מכשירים דיגיטליים, מכשירי חשמל קטנים ואלקטרוניקה.
  • פירוט המוצר

    בַּקָשָׁה

    תגיות מוצר

    תיאור כללי

    ה-WSD20L120DN56 הוא P-Ch MOSFET בעל ביצועים מעולים עם מבנה תאים בצפיפות גבוהה, המעניק טעינת RDSON ושער מעולה עבור רוב השימושים בממיר באק סינכרוני. ה-WSD20L120DN56 עומד ב-100% דרישות EAS עבור RoHS ומוצרים ידידותיים לסביבה, עם אישור אמינות לתפקוד מלא.

    תכונות

    1, טכנולוגיית תעלה מתקדמת בצפיפות תאים גבוהה
    2, טעינת שער סופר נמוכה
    3, ירידה מצוינת באפקט CdV/dt
    4, 100% EAS מובטח 5, מכשיר ירוק זמין

    יישומים

    ממיר באק סינכרוני לנקודת עומס בתדר גבוה עבור MB/NB/UMPC/VGA, מערכת חשמל DC-DC ברשת, מתג עומס, סיגריה אלקטרונית, מטען אלחוטי, מנועים, רחפנים, רפואי, מטען לרכב, בקר, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים, מוצרי צריכה.

    מספר החומר המתאים

    AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

    פרמטרים חשובים

    סֵמֶל פָּרָמֶטֶר דֵרוּג יחידות
    שנות ה-10 מצב יציב
    VDS מתח מקור ניקוז -20 V
    VGS מתח מקור שער ±10 V
    ID@TC=25℃ זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1 -120 A
    ID@TC=100℃ זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1 -69.5 A
    ID@TA=25℃ זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1 -25 -22 A
    ID@TA=70℃ זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1 -24 -18 A
    IDM זרם ניקוז פועם2 -340 A
    EAS אנרגיית מפולת חד פעמית3 300 mJ
    IAS זרם מפולת -36 A
    PD@TC=25℃ פיזור כוח כולל 4 130 W
    PD@TA=25℃ פיזור כוח כולל 4 6.8 6.25 W
    TSTG טווח טמפרטורת אחסון -55 עד 150
    TJ טווח טמפרטורות של צומת פעולה -55 עד 150
    סֵמֶל פָּרָמֶטֶר תנאים מינימום טיפ. מקסימום יְחִידָה
    BVDSS מתח פירוק מקור ניקוז VGS=0V , ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ מקדם טמפרטורה BVDSS התייחסות ל-25℃, ID=-1mA --- -0.0212 --- V/℃
    RDS(ON) התנגדות למקור ניקוז סטטי2 VGS=-4.5V , ID=-20A --- 2.1 2.7
           
        VGS=-2.5V , ID=-20A --- 2.8 3.7  
    VGS(th) מתח סף שער VGS=VDS , ID =-250uA -0.4 -0.6 -1.0 V
               
    △VGS(th) מקדם טמפרטורה VGS(th).   --- 4.8 --- mV/℃
    IDSS זרם דליפה מקור ניקוז VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- -6  
    IGSS זרם דליפה מקור שער VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductance קדימה VDS=-5V , ID=-20A --- 100 --- S
    Rg התנגדות שער VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 2 5 Ω
    Qg טעינת שער כולל (-4.5V) VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A --- 100 --- nC
    Qgs טעינה מקור שער --- 21 ---
    Qgd טעינת שער-ניקוז --- 32 ---
    Td(מופעל) זמן עיכוב הפעלה VDD=-10V , VGEN=-4.5V ,

    RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω

    --- 20 --- ns
    Tr זמן עלייה --- 50 ---
    Td (כבוי) זמן עיכוב כיבוי --- 100 ---
    Tf זמן הסתיו --- 40 ---
    Ciss קיבול קלט VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz --- 4950 --- pF
    Coss קיבולת פלט --- 380 ---
    Crss קיבול העברה הפוכה --- 290 ---

  • קוֹדֵם:
  • הַבָּא:

  • כתבו כאן את הודעתכם ושלחו אותה אלינו