WSD3023DN56 N-Ch ו-P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

תיאור קצר:

מספר דגם:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

תְעוּדַת זֶהוּת:14A/-12A

עָרוּץ:N-Ch ו-P-Channel

חֲבִילָה:DFN5*6-8

מוצר קייצי:המתח של WSD3023DN56 MOSFET הוא 30V/-30V, הזרם הוא 14A/-12A, ההתנגדות היא 14mΩ/23mΩ, הערוץ הוא N-Ch ו-P-Channel, והחבילה היא DFN5*6-8.

יישומים:מל"טים, מנועים, אלקטרוניקה לרכב, מכשירי חשמל גדולים.

שלחו לנו מייל PDF

פירוט המוצר

יישום

תגיות מוצר

תיאור כללי

ה-WSD3023DN56 הוא ה-MOSFET N-ch ו-P-ch תעלת הביצועים הגבוהים ביותר עם צפיפות תאים גבוהה במיוחד, המספקים טעינת RDSON ושער מצוינים עבור רוב היישומים של ממירי באק סינכרוניים.ה-WSD3023DN56 עומד בדרישת RoHS והמוצר הירוק 100% EAS מובטח עם אמינות תפקוד מלאה מאושרת.

מאפיינים

טכנולוגיית תעלה מתקדמת בצפיפות תאים גבוהה, טעינת שער סופר נמוכה, ירידה מצוינת באפקט CdV/dt, 100% EAS מובטחת, מכשיר ירוק זמין.

יישומים

ממיר באק סינכרוני לנקודת עומס בתדר גבוה עבור MB/NB/UMPC/VGA, מערכת חשמל DC-DC ברשת, מהפך תאורה אחורית CCFL, מזל"טים, מנועים, אלקטרוניקה לרכב, מכשירי חשמל גדולים.

מספר החומר המתאים

PANJIT PJQ5606

פרמטרים חשובים

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	דֵרוּג		יחידות
סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	נ-צ'	P-Ch	יחידות
VDS	מתח מקור ניקוז	30	-30	V
VGS	מתח מקור שער	±20	±20	V
ID	זרם ניקוז רציף, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	זרם ניקוז רציף, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP א	זרם ניקוז דופק נבדק, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS ג	אנרגיית מפולת, דופק בודד, L=0.5mH	20	20	mJ
IAS c	זרם מפולת, דופק בודד, L=0.5mH	9	-9	A
PD	פיזור כוח כולל, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	טווח טמפרטורת אחסון	-55 עד 175	-55 עד 175	℃
TJ	טווח טמפרטורות של צומת פעולה	175	175	℃
RqJA ב	התנגדות תרמית-צומת לסביבה, מצב יציב	60	60	℃/W
RqJC	התנגדות תרמית-צומת למקרה, מצב יציב	6.25	6.25	℃/W

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	תנאים	מינימום	טיפ.	מקסימום	יחידה
BVDSS	מתח פירוק מקור ניקוז	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	התנגדות למקור ניקוז סטטי	VGS=10V , ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	התנגדות למקור ניקוז סטטי	VGS=4.5V , ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	מתח סף שער	VGS=VDS , ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	זרם דליפה מקור שער	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	התנגדות שער	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	טעינת שער כולל	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	טעינה מקור שער		---	1.0	---
Qgde	טעינת שער-ניקוז		---	2.8	---
Td(on)e	זמן עיכוב הפעלה	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	זמן עלייה		---	8.6	---
Td(off)e	זמן עיכוב כיבוי		---	16	---
Tfe	זמן הסתיו		---	3.6	---
סיס	קיבול קלט	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	545	---	pF
קוסה	קיבולת פלט		---	95	---
Crsse	קיבול העברה הפוכה		---	55	---