WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

תיאור קצר:

זהו בנק כוח אלחוטי מגנטי המזהה אוטומטית טלפונים של אפל ואינו דורש הפעלת כפתורים.הוא משלב פרוטוקולי טעינה מהירה של 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC.זהו מוצר בנק כוח אלחוטי התואם לממירי חיזוק/ירידה סינכרוניים של אפל/סמסונג לטלפונים ניידים, ניהול טעינת סוללת Li, חיווי מתח צינור דיגיטלי, טעינה אלחוטית מגנטית ופונקציות נוספות.

מספר דגם:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7.8mΩ

תְעוּדַת זֶהוּת:22א

עָרוּץ:ערוץ N כפול

חֲבִילָה:DFN5*6-8

מוצר קייצי:המתח של WSD4098 MOSFET הוא 40V, הזרם הוא 22A, ההתנגדות היא 7.8mΩ, הערוץ הוא Dual N-Channel, והחבילה היא DFN5*6-8.

יישומים:סיגריות אלקטרוניות, טעינה אלחוטית, מנועים, רחפנים, טיפול רפואי, מטענים לרכב, בקרים, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים, מוצרי צריכה אלקטרוניים.

שלחו לנו מייל PDF

פירוט המוצר

יישום

תגיות מוצר

תיאור כללי

ה-WSD4098DN56 הוא ה-MOSFET Dual N-Ch MOSFET עם הביצועים הגבוהים ביותר עם צפיפות תאים גבוהה במיוחד, המספקים טעינת RDSON ושער מעולה עבור רוב יישומי הממיר הסינכרוני.ה-WSD4098DN56 עומד בדרישת RoHS ומוצר ירוק 100% EAS מובטח עם אמינות תפקוד מלאה מאושרת.

מאפיינים

טכנולוגיית תעלה מתקדמת בצפיפות תאים גבוהה, טעינת שער סופר נמוכה, ירידה מצוינת באפקט CdV/dt, 100% EAS מובטחת, מכשיר ירוק זמין

יישומים

סינכרוני של נקודת עומס בתדר גבוה, ממיר באק עבור MB/NB/UMPC/VGA, מערכת חשמל DC-DC ברשת, מתג עומס, סיגריות אלקטרוניות, טעינה אלחוטית, מנועים, מל"טים, טיפול רפואי, מטענים לרכב, בקרים, דיגיטליים מוצרים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים, מוצרי צריכה.

מספר החומר המתאים

AOS AON6884

פרמטרים חשובים

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר		דֵרוּג	יחידה
דירוגים נפוצים
VDSS	מתח מקור ניקוז		40	V
VGSS	מתח מקור שער		±20	V
TJ	טמפרטורת צומת מקסימלית		150	מעלות צלזיוס
TSTG	טווח טמפרטורת אחסון		-55 עד 150	מעלות צלזיוס
IS	זרם קדימה רציף של דיודה	TA=25°C	11.4	A
ID	זרם ניקוז רציף	TA=25°C	22	A
ID	זרם ניקוז רציף			A
		TA=70°C	22
אני DM ב	זרם ניקוז דופק נבדק	TA=25°C	88	A
PD	פיזור כוח מרבי	T. =25°C	25	W
PD	פיזור כוח מרבי	TC=70°C	10	W
RqJL	התנגדות תרמית-צומת לעופרת	מצב יציב	5	°C/W
RqJA	התנגדות תרמית-צומת לסביבה	לא 10 ש"ח	45	°C/W
RqJA	התנגדות תרמית-צומת לסביבה	מצב יציב ב	90	°C/W
I AS ד	זרם מפולת, דופק בודד	L=0.5mH	28	A
E AS ד	אנרגיית מפולת, דופק בודד	L=0.5mH	39.2	mJ

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	תנאי מבחן		מינימום	טיפ.	מקסימום	יחידה
מאפיינים סטטיים
BVDSS	מתח פירוק מקור ניקוז	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	זרם ניקוז מתח שער אפס	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	זרם ניקוז מתח שער אפס						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	מתח סף שער	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	זרם דליפת שער	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) ה	התנגדות במצב של מקור ניקוז	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	מ ו
R DS(ON) ה	התנגדות במצב של מקור ניקוז	VGS=4.5V, IDS=12 A		-	9.0	11	מ ו
מאפייני דיודה
V SD ה	מתח דיודה קדימה	ISD=1A, VGS=0V		-	0.75	1.1	V
trr	זמן התאוששות הפוך	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	חיוב שחזור הפוך	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
מאפיינים דינמיים ו
RG	התנגדות שער	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	קיבול קלט	VGS=0V, VDS=20V, תדר=1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	קיבולת פלט			-	317	-
Crss	קיבול העברה הפוכה			-	96	-
td(ON)	זמן עיכוב הפעלה	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	זמן עלייה להדלקה			-	8	-
td( כבוי)	זמן עיכוב כיבוי			-	30	-
tf	כיבוי זמן הסתיו			-	21	-
מאפייני טעינת שער ו
Qg	טעינת שער כולל	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	טעינת שער כולל	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	טעינת שער סף			-	2.6	-
Qgs	טעינה מקור שער			-	4.7	-
Qgd	טעינת שער-ניקוז			-	3	-