WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

תיאור קצר:

מספר דגם:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6.8mΩ

תְעוּדַת זֶהוּת:-70A

עָרוּץ:P-Channel

חֲבִילָה:TO-252

מוצר קייצי:ל-WSF70P02 MOSFET יש מתח של -20V, זרם של -70A, התנגדות של 6.8mΩ, אריזת P-Channel ואריזת TO-252.

יישומים:סיגריות אלקטרוניות, מטענים אלחוטיים, מנועים, גיבויי חשמל, רחפנים, שירותי בריאות, מטענים לרכב, בקרים, אלקטרוניקה, מכשירי חשמל ומוצרי צריכה.

שלחו לנו מייל PDF

פירוט המוצר

יישום

תגיות מוצר

תיאור כללי

ה-WSF70P02 MOSFET הוא מכשיר התעלה בעל הביצועים הטובים ביותר עם צפיפות תאים גבוהה.הוא מציע טעינת RDSON ושער יוצאים מן הכלל עבור רוב יישומי ממירי באק סינכרוניים.המכשיר עומד בדרישות RoHS והמוצר הירוק, מובטח ב-100% EAS ואושר לאמינות תפקוד מלאה.

מאפיינים

טכנולוגיית Trench מתקדמת עם צפיפות תאים גבוהה, טעינת שער סופר נמוכה, הפחתה מעולה באפקט CdV/dt, אחריות של 100% EAS ואפשרויות להתקנים ידידותיים לסביבה.

יישומים

סינכרוני של נקודת עומס בתדר גבוה, ממיר באק עבור MB/NB/UMPC/VGA, מערכת מתח DC-DC ברשת, מתג עומס, סיגריות אלקטרוניות, טעינה אלחוטית, מנועים, ספקי כוח חירום, מל"טים, טיפול רפואי, מטענים לרכב , בקרים, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים, מוצרי צריכה אלקטרוניים.

מספר החומר המתאים

AOS

פרמטרים חשובים

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	דֵרוּג		יחידות
		שנות ה-10	מצב יציב
VDS	מתח מקור ניקוז	-20		V
VGS	מתח מקור שער	±12		V
ID@TC=25℃	זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	זרם ניקוז פועם2	-200		A
EAS	אנרגיית מפולת חד פעמית3	360		mJ
IAS	זרם מפולת	-55.4		A
PD@TC=25℃	פיזור כוח כולל 4	80		W
TSTG	טווח טמפרטורת אחסון	-55 עד 150		℃
TJ	טווח טמפרטורות של צומת פעולה	-55 עד 150		℃

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	תנאים	מינימום	טיפ.	מקסימום	יחידה
BVDSS	מתח פירוק מקור ניקוז	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	מקדם טמפרטורה BVDSS	התייחסות ל-25℃, ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(ON)	התנגדות למקור ניקוז סטטי2	VGS=-4.5V , ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(ON)	התנגדות למקור ניקוז סטטי2					mΩ
		VGS=-2.5V , ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	מתח סף שער	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	מקדם טמפרטורה VGS(th).		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5
IGSS	זרם דליפה מקור שער	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance קדימה	VDS=-5V , ID=-10A	---	45	---	S
Qg	טעינת שער כולל (-4.5V)	VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	טעינה מקור שער		---	9.1	---
Qgd	טעינת שער-ניקוז		---	13	---
Td(מופעל)	זמן עיכוב הפעלה	VDD=-10V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	זמן עלייה		---	77	---
Td (כבוי)	זמן עיכוב כיבוי		---	195	---
Tf	זמן הסתיו		---	186	---
Ciss	קיבול קלט	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	קיבולת פלט		---	520	---
Crss	קיבול העברה הפוכה		---	445	---