WSM320N04G N-channel 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

תיאור קצר:

מספר דגם:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2mΩ

תְעוּדַת זֶהוּת:320A

עָרוּץ:ערוץ N

חֲבִילָה:TOLL-8L

מוצר קייצי:ל-WSM320N04G MOSFET יש מתח של 40V, זרם של 320A, התנגדות של 1.2mΩ, ערוץ N וחבילת TOLL-8L.

יישומים:סיגריות אלקטרוניות, טעינה אלחוטית, מזל"טים, רפואי, טעינת רכב, בקרים, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים, מוצרי צריכה.

שלחו לנו מייל PDF

פירוט המוצר

בַּקָשָׁה

תגיות מוצר

תיאור כללי

ה-WSM320N04G הוא MOSFET בעל ביצועים גבוהים המשתמש בעיצוב תעלה ובעל צפיפות תאים גבוהה מאוד. יש לו טעינת RDSON ושער מצוינים והוא מתאים לרוב יישומי ממירי באק סינכרוניים. ה-WSM320N04G עומד בדרישות RoHS ומוצר ירוק ומובטח לו 100% EAS ואמינות תפקוד מלאה.

תכונות

טכנולוגיית Trench מתקדמת בצפיפות תאים גבוהה, תוך שהיא כוללת טעינת שער נמוכה לביצועים מיטביים. בנוסף, הוא מתהדר בירידה מצוינת באפקט CdV/dt, אחריות של 100% EAS ואפשרות ידידותית לסביבה.

יישומים

ממיר באק סינכרוני לנקודת עומס בתדר גבוה, מערכת חשמל DC-DC ברשת, יישום כלי חשמל, סיגריות אלקטרוניות, טעינה אלחוטית, רחפנים, רפואי, טעינת רכב, בקרים, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים ואלקטרוניקה צריכה.

פרמטרים חשובים

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	דֵרוּג	יחידות
VDS	מתח מקור ניקוז	40	V
VGS	מתח מקור שער	±20	V
ID@TC=25℃	זרם ניקוז רציף, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	זרם ניקוז רציף, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	זרם ניקוז פועם2	900	A
EAS	אנרגיית מפולת חד פעמית3	980	mJ
IAS	זרם מפולת	70	A
PD@TC=25℃	פיזור כוח כולל 4	250	W
TSTG	טווח טמפרטורת אחסון	-55 עד 175	℃
TJ	טווח טמפרטורות של צומת פעולה	-55 עד 175	℃

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	תנאים	מינימום	טיפ.	מקסימום	יְחִידָה
BVDSS	מתח פירוק מקור ניקוז	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	מקדם טמפרטורה BVDSS	התייחסות ל-25℃, ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(ON)	התנגדות למקור ניקוז סטטי2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(ON)	התנגדות למקור ניקוז סטטי2	VGS=4.5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	מתח סף שער	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	מקדם טמפרטורה VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	זרם דליפה מקור שער	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance קדימה	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	התנגדות שער	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	טעינת שער כולל (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	טעינה מקור שער		---	43	---
Qgd	טעינת שער-ניקוז		---	83	---
Td(מופעל)	זמן עיכוב הפעלה	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	זמן עלייה		---	115	---
Td (כבוי)	זמן עיכוב כיבוי		---	95	---
Tf	זמן הסתיו		---	80	---
Ciss	קיבול קלט	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	קיבולת פלט		---	1200	---
Crss	קיבול העברה הפוכה		---	800	---