WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

תיאור קצר:

מספר דגם:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

תְעוּדַת זֶהוּת:-11א

עָרוּץ:P-Channel

חֲבִילָה:SOP-8

מוצר קייצי:המתח של WSP4447 MOSFET הוא -40V, הזרם הוא -11A, ההתנגדות היא 13mΩ, הערוץ הוא P-Channel, והחבילה היא SOP-8.

יישומים:סיגריות אלקטרוניות, מטענים אלחוטיים, מנועים, רחפנים, מכשירים רפואיים, מטענים אוטומטיים, בקרים, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל קטנים ומוצרי צריכה אלקטרוניים.

שלחו לנו מייל PDF

פירוט המוצר

יישום

תגיות מוצר

תיאור כללי

ה-WSP4447 הוא MOSFET בעל ביצועים מעולים, המשתמש בטכנולוגיית תעלות ובעל צפיפות תאים גבוהה.הוא מציע טעינת RDSON ושער מצוינים, מה שהופך אותו מתאים לשימוש ברוב יישומי ממירי באק סינכרוניים.ה-WSP4447 עומד בתקני RoHS ומוצר ירוק, ומגיע עם אחריות של 100% EAS לאמינות מלאה.

מאפיינים

טכנולוגיית Trench מתקדמת מאפשרת צפיפות תאים גבוהה יותר, וכתוצאה מכך התקן ירוק עם טעינת שער סופר נמוכה וירידה מצוינת באפקט CdV/dt.

יישומים

ממיר תדר גבוה למגוון מוצרי אלקטרוניקה
ממיר זה נועד להפעיל ביעילות מגוון רחב של מכשירים, כולל מחשבים ניידים, קונסולות משחקים, ציוד רשת, סיגריות אלקטרוניות, מטענים אלחוטיים, מנועים, מל"טים, מכשירים רפואיים, מטענים לרכב, בקרים, מוצרים דיגיטליים, מכשירי חשמל ביתיים קטנים וצרכנים. מכשירי חשמל.

מספר החומר המתאים

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

פרמטרים חשובים

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	דֵרוּג	יחידות
VDS	מתח מקור ניקוז	-40	V
VGS	מתח מקור שער	±20	V
ID@TA=25℃	זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	זרם ניקוז רציף, VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM א	זרם ניקוז פועם של 300 µs (VGS=-10V)	-44	A
EAS ב	אנרגיית מפולת, דופק בודד (L=0.1mH)	54	mJ
IAS b	זרם מפולת, דופק בודד (L=0.1mH)	-33	A
PD@TA=25℃	פיזור כוח כולל 4	2.0	W
TSTG	טווח טמפרטורת אחסון	-55 עד 150	℃
TJ	טווח טמפרטורות של צומת פעולה	-55 עד 150	℃

סֵמֶל	פָּרָמֶטֶר	תנאים	מינימום	טיפ.	מקסימום	יחידה
BVDSS	מתח פירוק מקור ניקוז	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	מקדם טמפרטורה BVDSS	התייחסות ל-25℃, ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(ON)	התנגדות למקור ניקוז סטטי2	VGS=-10V , ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	התנגדות למקור ניקוז סטטי2					mΩ
		VGS=-4.5V , ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	מתח סף שער	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	מקדם טמפרטורה VGS(th).		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	זרם דליפה מקור ניקוז					uA
		VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	זרם דליפה מקור שער	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance קדימה	VDS=-5V , ID=-10A	---	18	---	S
Qg	טעינת שער כולל (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	טעינה מקור שער		---	5.2	---
Qgd	טעינת שער-ניקוז		---	8	---
Td(מופעל)	זמן עיכוב הפעלה	VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	זמן עלייה		---	12	---
Td (כבוי)	זמן עיכוב כיבוי		---	41	---
Tf	זמן הסתיו		---	22	---
Ciss	קיבול קלט	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	קיבולת פלט		---	235	---
Crss	קיבול העברה הפוכה		---	180	---