ניתוח של גורמים חשובים לייצור חום MOSFET

עיקרון העבודה מסוג N, P מסוג MOSFET של המהות זהה, MOSFET מתווסף בעיקר לצד הקלט של מתח השער כדי לשלוט בהצלחה בצד הפלט של זרם הניקוז, MOSFET הוא מכשיר מבוקר מתח, דרך המתח שנוסף לשער כדי לשלוט במאפיינים של המכשיר, בניגוד לטריודה לעשות זמן מיתוג עקב זרם הבסיס הנגרם על ידי אפקט אחסון המטען, ביישומי מיתוג, MOSFET's In החלפת יישומים,של MOSFET מהירות המעבר מהירה מזו של הטריודה.

בספק הכוח המיתוג, מעגל ניקוז פתוח של MOSFET הנפוץ, הניקוז מחובר לעומס כפי שהוא, הנקרא ניקוז פתוח, מעגל ניקוז פתוח, העומס מחובר לכמה גבוה המתח, מסוגלים להידלק, לכבות את זרם עומס, הוא התקן המיתוג האנלוגי האידיאלי, שהוא העיקרון של ה-MOSFET לבצע מיתוג התקני, ה-MOSFET לבצע מיתוג בצורה של מעגלים נוספים.

במונחים של החלפת יישומי אספקת חשמל, יישום זה דורש מכשירי MOSFET לערוך מעת לעת, לכבות, כגון ספק כוח DC-DC המשמש בדרך כלל בממיר ה-buck הבסיסי מסתמך על שני MOSFETs לביצוע פונקציית המיתוג, מתגים אלו לסירוגין במשרן כדי לאגור אנרגיה, לשחרר את האנרגיה לעומס, לעתים קרובות לבחור מאות קילו-הרץ או אפילו יותר מ-1 מגה-הרץ, בעיקר משום שככל שהתדר גבוה יותר, כך הרכיבים המגנטיים קטנים יותר. במהלך פעולה רגילה, ה-MOSFET שווה ערך למוליך, למשל, MOSFETs בעלי הספק גבוה, MOSFETs במתח קטן, מעגלים, ספק כוח הוא אובדן ההולכה המינימלי של ה-MOS.

פרמטרי MOSFET PDF, יצרני MOSFET אימצו בהצלחה את פרמטר RDS (ON) כדי להגדיר את עכבת המצב, עבור מיתוג יישומים, RDS (ON) הוא מאפיין ההתקן החשוב ביותר; גליונות הנתונים מגדירים RDS (ON), מתח השער (או הכונן) VGS והזרם הזורם דרך המתג קשורים, עבור כונן שער מתאים, RDS (ON) הוא פרמטר סטטי יחסית; MOSFETs שהיו בהולכה נוטים ליצור חום, ועלייה איטית בטמפרטורות הצומת יכולה להוביל לעלייה ב-RDS (ON);MOSFET גליונות הנתונים מציינים את פרמטר העכבה התרמית, המוגדר כיכולת של צומת המוליכים למחצה של חבילת ה-MOSFET לפזר חום, ו-RθJC מוגדר בפשטות כעכבה התרמית של צומת למארז.

1, התדר גבוה מדי, לפעמים רדיפה יתרה של עוצמת הקול, תוביל ישירות לתדר גבוה, MOSFET על ההפסד גדל, ככל שהחום גדול יותר, לא עושים עבודה טובה בתכנון פיזור חום נאות, זרם גבוה, הנומינלי הערך הנוכחי של ה-MOSFET, הצורך בפיזור חום טוב כדי להיות מסוגל להשיג; מזהה קטן מהזרם המרבי, עשוי להיות חום רציני, הצורך בגוף קירור עזר נאות.

2, שגיאות בחירת MOSFET ושגיאות בשיפוט כוח, התנגדות פנימית של MOSFET אינה נחשבת במלואה, תוביל ישירות להגברת עכבת המיתוג, כאשר מתמודדים עם בעיות חימום MOSFET.

3, עקב בעיות בתכנון המעגל, וכתוצאה מכך חום, כך שה-MOSFET עובד במצב הפעלה ליניארי, לא במצב מיתוג, שהוא גורם ישיר לחימום MOSFET, למשל, N-MOS עושה מיתוג, ה-G- מתח הרמה צריך להיות גבוה יותר מאספקת הכוח בכמה V, על מנת להיות מסוגל להוביל באופן מלא, ה-P-MOS שונה; בהעדר פתיחה מלאה, מפל המתח גדול מדי, מה שיגרום לצריכת חשמל, עכבת ה-DC המקבילה גדולה יותר, גם ירידת המתח תגדל, U * I גם תגדל, ההפסד יוביל לחום.