ניתוח הסיבות לחוסר היעילות של MOSFET

1, כשל מתח נאמר לעתים קרובות כדליפה בין מקור המתח של BVdss עולה על המתח הנקוב של ה-mosfet, ומעבר ליכולת מסוימת להוביל לכשל ב-mosfet.

2, התקלה הנוכחית שהיא יותר מטווח העבודה בטוח המוספת והפסול, המחולק ל-ID חורג ממפרט המכשיר והכשל שנגרם מה-ID שלו גדול מדי, בלאי גבוה וכתוצאה מכך הצטברות תרמית ארוכת טווח של המכשיר והכשל.

3, בגשר, LLC ואחרים יעילים לדיודה הגוף לבצע טופולוגיה נוכחית, כי דיודה הגוף נהרסה ופסולה.

4, בתהליך היישום המקביל, השער עם הפרמטרים הטפילים של המעגל להוביל לתנודות יגרום לכשל תהודה.

5, בסביבה יבשה, מכיוון שגוף האדם והציוד והחשמל הסטטי שנוצר על ידי המכשיר יובילו למצב סטטי לא יעיל.

6. מתח השער אינו חוקי בגלל שיא מתח פעולה חריג בשער.

האמור לעיל מבוסס עלMOSFETניתוח הגורמים לכישלון, אנו מבצעים פעולות עיבוד מתאימות, יש נושאים אחרים מוזמנים להתייעץ איתנו באינטרנט Guanhua Weiye החברה, יכול לספק לך תשובות יעילות ויחס שירות איכותי.
אולוקיהחברה להישרדות האשראי, דבקה במטרה "איכות ראשונה, שירות קודם" ומפעלי היי-טק רבים בארץ ובחו"ל, המפעל המקורי ליצירת קשרי עבודה טובים, עם ניסיון מקצועי רב שנים בהפצה, עם אשראי טוב, שירות מעולה, גישה למגוון רחב של אמון ותמיכה.