פרמטרים עיקריים של MOSFETs והשוואה עם טריודות

טרנזיסטור אפקט שדה מקוצר בשםMOSFETישנם שני סוגים עיקריים: צינורות אפקט שדה צומת וצינורות אפקט שדה מוליכים למחצה מתכת-תחמוצת. ה-MOSFET ידוע גם כטרנזיסטור חד קוטבי עם רוב הנשאים המעורבים במוליכות. הם התקני מוליכים למחצה נשלטי מתח. בשל התנגדות הכניסה הגבוהה שלו, הרעש הנמוך, צריכת החשמל הנמוכה ומאפיינים נוספים, מה שהופך אותו למתחרה חזק לטרנזיסטורים דו-קוטביים וטרנזיסטורי הספק.

I. פרמטרים עיקריים של MOSFET

1, פרמטרים של DC

ניתן להגדיר את זרם ניקוז הרוויה כזרם הניקוז המתאים כאשר המתח בין השער למקור שווה לאפס והמתח בין הניקוז למקור גדול ממתח ה-pinch-off.

מתח כיבוי UP: UGS הנדרש להפחתת המזהה לזרם קטן כאשר ה-UDS בטוח;

מתח הפעלה UT: UGS נדרש כדי להביא מזהה לערך מסוים כאשר UDS בטוח.

2、 פרמטרים AC

טרנסמוליכות בתדר נמוך gm : מתאר את השפעת הבקרה של מתח השער והמקור על זרם הניקוז.

קיבול בין-קוטבי: הקיבול בין שלוש האלקטרודות של ה-MOSFET, ככל שהערך קטן יותר, כך הביצועים טובים יותר.

3、פרמטרים מגבילים

מתח פריצת ניקוז, מקור: כאשר זרם הניקוז עולה בחדות, הוא ייצור התמוטטות מפולת כאשר ה-UDS.

מתח התמוטטות שער: צינור אפקט שדה צומת פעולה רגילה, שער ומקור בין צומת PN במצב הטיה הפוכה, הזרם גדול מכדי לייצר התמוטטות.

II. מאפיינים שלמכשירי MOSFET

ל-MOSFET יש פונקציית הגברה והוא יכול ליצור מעגל מוגבר. בהשוואה לטריודה, יש לו את המאפיינים הבאים.

(1) ה-MOSFET הוא מכשיר מבוקר מתח, והפוטנציאל נשלט על ידי UGS;

(2) הזרם בכניסה של ה-MOSFET קטן ביותר, ולכן התנגדות הכניסה שלו גבוהה מאוד;

(3) יציבות הטמפרטורה שלו טובה מכיוון שהוא משתמש בנשאי רוב עבור מוליכות;

(4) מקדם הגברת המתח של מעגל ההגברה שלו קטן מזה של טריודה;

(5) הוא עמיד יותר לקרינה.

שְׁלִישִׁי,MOSFET והשוואת טרנזיסטורים

(1) מקור MOSFET, שער, מקור ניקוז וטריודה, בסיס, מוט נקודת הגדרה מתאים לתפקיד של דומה.

(2) MOSFET הוא התקן זרם מבוקר מתח, מקדם ההגברה קטן, יכולת ההגברה ירודה; טריודה הוא מכשיר מתח נשלט על ידי זרם, יכולת ההגברה חזקה.

(3) שער MOSFET בעצם אינו לוקח זרם; ועבודת טריודה, הבסיס יספוג זרם מסוים. לכן, התנגדות הכניסה של שער MOSFET גבוהה יותר מהתנגדות הכניסה של הטריודה.

(4) לתהליך המוליך של MOSFET יש השתתפות של פוליטרון, ולטריודה יש השתתפות של שני סוגים של נשאים, פוליטרון ואוליגוטרון, וריכוז האוליגוטרון שלו מושפע מאוד מהטמפרטורה, הקרינה וגורמים אחרים, לכן, MOSFET יש יציבות טמפרטורה טובה יותר ועמידות קרינה מאשר טרנזיסטור. יש לבחור MOSFET כאשר תנאי הסביבה משתנים מאוד.

(5) כאשר MOSFET מחובר למתכת המקור והמצע, ניתן להחליף את המקור והניקוז והמאפיינים אינם משתנים הרבה, בעוד שכאשר מחליפים את הקולט והפוט של הטרנזיסטור, המאפיינים שונים וערך β מופחת.

(6) נתון הרעש של MOSFET קטן.

(7) MOSFET וטריודה יכולים להיות מורכבים ממגוון מעגלי מגבר ומעגלי מיתוג, אך הראשון צורך פחות חשמל, יציבות תרמית גבוהה, מגוון רחב של מתחי אספקה, כך שהוא נמצא בשימוש נרחב בקנה מידה גדול וגדול במיוחד. מעגלים משולבים בקנה מידה.

(8) התנגדות ההפעלה של הטריודה גדולה, והתנגדות ההפעלה של ה-MOSFET קטנה, כך ש-MOSFET משמשים בדרך כלל כמתגים בעלי יעילות גבוהה יותר.