כּוֹחַMOSFET הוא קבוצת תזונה מובנית יחסית, "MOSFET" היא האנגלית "טרנזיסטור שדה אפקט שדה תחמוצת מתכת" (Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor). הוא משמש עבור מכשיר eindtrap, המפתח את חומרי המתכת, SiO2 של SiN וחומרים למחצה משולבים. אם יש לומר זאת בצורה ברורה, גורם ל-MOSFET מסמל את הפלט הגדול של זרמים, והם מחולקים במגוון דרכים, שבהן ניתן להבחין בתפקיד של רמת הפסד. סוג N-kanaal וסוג P-kanaal.
Power MOSFET's משמשים בדרך כלל למעגלי תזונה. על הבחירה הכלליתMOSFET-fabrikanten דה פרמטר RDS(ON) כדי להגדיר; RDS(ON) הוא גם מכשיר קריטי עבור ORing FET-יישוםים. מדריך המידע לנתונים מגדיר RDS(ON) ביחס ל-businessspanning van de gate, VGS, en de stream die door de vermogensschakelaar vloeit, אבל RDS(ON) הוא פרמטר יחסי סטטיסטי עבור כונן שער מספיק.
אם מפעל מבית MOSFET מחליף תזונה רוצה לפתח ספציפיות עיצוב מינימליות ומחירים, היא חייבת. העיצוב של כל תזונה צריך להזין מספר רב של ORingשל MOSFET שירותים מתנהלים במקביל וחייבים להשתמש במספר מכשירים כדי להפעיל את הכוח. בהרבה מקרים צריכים מעצבי MOSFET בשינוי סדרה כך ש-RDS(ON) יכול להיות משודר באופן סביר.
לצד RDS(ON), בכל התהליך של מבחר MOSFET, יש גם מספר פרמטרים של MOSFET הם גם קריטיים מאוד עבור מעצבי תזונה. בהרבה מקרים צריכים מתכננים להיפתח בגרפיקה של SOA במדריך מידע מידע, המתאם בין drainstroom ו-drain-bron evaluation beschrijft. עבור החלק הגדול ביותר מוגדר SOA של צריכת תזונה וזרימה שבה MOSFET יכול לעבוד בצורה בטוחה.
עבור סוגי תנאי העומס הנ"ל, לאחר אומדן (או מדידה) של מתח ההפעלה הגדול יותר, ולאחר מכן השארת מרווח של 20% עד 30%, אתה יכול לציין את ערך ה-VDS הנוכחי הנקוב של ה-MOSFET. יש לומר שכדי לשפר עלות חזקה יותר ומאפיינים חלקים יותר, ניתן לבחור בסדרת זרם AC דיודות זרם ומשרנים בסגירת הרכב של לולאת הבקרה הנוכחית, לשחרר את האנרגיה הקינטית של הזרם האינדוקטיבי כדי לשמור על MOSFET. הזרם המדורג ברור, ניתן להסיק את הזרם. אבל כאן חייבים לקחת בחשבון שני פרמטרים: האחד הוא הערך של הזרם בפעולה רציפה והערך הגבוה ביותר של ספייק הזרם הפולסי הבודד (Spike ו-Surge), שני הפרמטרים האלה כדי להחליט כמה אתה צריך לבחור את הערך המדורג של ערך נוכחי.
זמן פרסום: 27 במאי 2024
