ל-MOSFET (טרנזיסטור שדה-אפקט מתכת-תחמוצת-מחצה) יש שלושה קטבים שהם:
שַׁעַר:G, השער של MOSFET שווה ערך לבסיס של טרנזיסטור דו-קוטבי ומשמש לשליטה על ההולכה והניתוק של ה-MOSFET. ב-MOSFET, מתח השער (Vgs) קובע אם נוצרת תעלה מוליכה בין המקור לניקוז, כמו גם את הרוחב והמוליכות של הערוץ המוליך. השער עשוי מחומרים כמו מתכת, פוליסיליקון וכדומה, ומוקף בשכבת בידוד (בדרך כלל סיליקון דו חמצני) למניעת זרימת זרם ישירות אל השער או ממנו.
מָקוֹר:S, המקור של MOSFET שווה ערך לפולט של טרנזיסטור דו קוטבי והוא המקום שבו זורם הזרם. ב-MOSFETs N-channel, המקור מחובר בדרך כלל למסוף השלילי (או הארקה) של ספק הכוח, בעוד שב-P-channel MOSFETs, המקור מחובר למסוף החיובי של ספק הכוח. המקור הוא אחד מחלקי המפתח היוצרים את התעלה המוליכה, השולחת אלקטרונים (ערוץ N) או חורים (ערוץ P) לניקוז כאשר מתח השער גבוה מספיק.
לְנַקֵז:D, הניקוז של MOSFET שווה ערך לקולט של טרנזיסטור דו קוטבי והוא המקום שבו הזרם זורם פנימה. הניקוז מחובר בדרך כלל לעומס ופועל כמוצא זרם במעגל. ב-MOSFET, הניקוז הוא הקצה השני של הערוץ המוליך, וכאשר מתח השער שולט ביצירת תעלה מוליכה בין המקור לניקוז, זרם יכול לזרום מהמקור דרך הערוץ המוליך אל הניקוז.
בקצרה, השער של MOSFET משמש לשליטה וכיבוי, המקור הוא המקום שבו הזרם זורם החוצה, והניקוז הוא המקום שבו הזרם זורם פנימה. יחד, שלושת הקטבים הללו קובעים את מצב הפעולה והביצועים של ה-MOSFET .
זמן פרסום: 26-2024 בספטמבר
