MOSFETs (טרנזיסטור שדה-אפקט מתכת-תחמוצת-חצי) נחשבים לרוב להתקנים בשליטה מלאה. הסיבה לכך היא שמצב הפעולה (מופעל או כבוי) של ה-MOSFET נשלט לחלוטין על ידי מתח השער (Vgs) ואינו תלוי בזרם הבסיס כמו במקרה של טרנזיסטור דו-קוטבי (BJT).
ב-MOSFET, מתח השער Vgs קובע אם נוצרת תעלה מוליכה בין המקור לניקוז, כמו גם את הרוחב והמוליכות של הערוץ המוליך. כאשר Vgs חורג ממתח הסף Vt, נוצר הערוץ המוליך וה-MOSFET נכנס למצב מופעל; כאשר Vgs נופל מתחת ל-Vt, הערוץ המוליך נעלם וה-MOSFET נמצא במצב ניתוק. בקרה זו נשלטת באופן מלא מכיוון שמתח השער יכול לשלוט באופן עצמאי ומדויק על מצב הפעולה של ה-MOSFET מבלי להסתמך על פרמטרים אחרים של זרם או מתח.
לעומת זאת, מצב הפעולה של מכשירים מבוקרים למחצה (למשל תיריסטורים) לא מושפע רק ממתח הבקרה או הזרם, אלא גם מגורמים אחרים (למשל מתח האנודה, זרם וכו'). כתוצאה מכך, התקנים בשליטה מלאה (למשל, MOSFETs) מציעים בדרך כלל ביצועים טובים יותר מבחינת דיוק וגמישות שליטה.
לסיכום, מכשירי MOSFET הם מכשירים בשליטה מלאה שמצב הפעולה שלהם נשלט לחלוטין על ידי מתח השער, ויש להם יתרונות של דיוק גבוה, גמישות גבוהה וצריכת חשמל נמוכה.
זמן פרסום: 20-20-2024
