עם מנהלי התקנים של MOS של היום, ישנן מספר דרישות יוצאות דופן:
1. יישום מתח נמוך
כאשר היישום של מיתוג 5Vספק כוח, בשלב זה אם השימוש במבנה עמוד טוטם מסורתי, מכיוון שהטריודה תהיה רק 0.7V למעלה ולמטה אובדן, וכתוצאה מכך שער עומס סופי ספציפי על המתח הוא רק 4.3V, בשלב זה, השימוש במתח השער המותר של 4.5VMOSFETs יש מידה מסוימת של סיכון.אותו מצב מתרחשת גם ביישום של 3V או ספק כוח מיתוג אחר במתח נמוך.
יישום מתח רחב
למתח המפתח אין ערך מספרי, הוא משתנה מעת לעת או עקב גורמים אחרים. וריאציה זו גורמת למתח הכונן שניתן ל-MOSFET על ידי מעגל PWM להיות לא יציב.
על מנת לאבטח טוב יותר את ה-MOSFET במתחי שער גבוהים, ב-MOSFET רבים מוטבעים ווסתי מתח כדי לכפות הגבלה על גודל מתח השער. במקרה זה, כאשר מתח ההנעה עולה על המתח של הרגולטור, נגרם אובדן תפקוד סטטי גדול.
יחד עם זאת, אם העיקרון הבסיסי של מחלק מתח הנגד משמש להפחתת מתח השער, יקרה שאם המתח המפתח גבוה יותר, ה-MOSFET פועל היטב, ואם המתח המפתח מופחת, מתח השער אינו מספיק, וכתוצאה מכך לא מספיק הפעלה וכיבוי, מה שישפר את האובדן התפקודי.
3. יישומי מתח כפול
בחלק ממעגלי הבקרה, החלק הלוגי של המעגל מחיל את מתח הנתונים הטיפוסי של 5V או 3.3V, בעוד שחלק הספק המוצא מחיל 12V או יותר, ושני המתחים מחוברים להארקה משותפת.
זה מבהיר שיש להשתמש במעגל אספקת חשמל כך שצד המתח הנמוך יוכל לתפעל באופן סביר את ה-MOSFET במתח גבוה, בעוד שה-MOSFET המתח הגבוה יוכל להתמודד עם אותם קשיים שהוזכרו ב-1 ו-2.
בשלושת המקרים הללו, מבנה עמוד הטוטם אינו יכול לעמוד בדרישות התפוקה, ונראה כי IC מנהלי MOS קיימים רבים אינם כוללים מבנה מגביל מתח שער.
זמן פרסום: 24 ביולי 2024
