כאחד המכשירים הבסיסיים ביותר בתחום המוליכים למחצה, MOSFET נמצא בשימוש נרחב הן בתכנון IC והן ביישומי מעגלים ברמת הלוח. אז כמה אתה יודע על הפרמטרים השונים של MOSFET? כמומחה במתחי MOSFET במתח בינוני ונמוך,אולוקייסביר לכם בפירוט את הפרמטרים השונים של MOSFETs!
VDSS עמיד במתח מרבי של מקור ניקוז
מתח מקור הניקוז כאשר זרם הניקוז הזורם מגיע לערך מסוים (מזנק בחדות) תחת טמפרטורה מסוימת וקצר חשמלי של מקור השער. מתח מקור הניקוז במקרה זה נקרא גם מתח התמוטטות מפולת. ל-VDSS יש מקדם טמפרטורה חיובי. ב-50°C, VDSS הוא בערך 90% מזה ב-25°C. בשל הקצבה שנותרה בדרך כלל בייצור רגיל, מתח התמוטטות המפולת שלMOSFETתמיד גדול מהמתח הנקוב הנומינלי.
תזכורת חמה של Olukey: על מנת להבטיח אמינות המוצר, בתנאי העבודה הגרועים ביותר, מומלץ שמתח העבודה לא יעלה על 80~90% מהערך הנקוב.
VGSS עמידה בפני מתח מקסימלי של מקור שער
זה מתייחס לערך VGS כאשר הזרם ההפוך בין השער למקור מתחיל לעלות בחדות. חריגה מערך מתח זה יגרום לפירוק דיאלקטרי של שכבת תחמוצת השער, שהיא התמוטטות הרסנית ובלתי הפיכה.
מזהה זרם מקור ניקוז מקסימלי
זה מתייחס לזרם המרבי המותר לעבור בין הניקוז למקור כאשר טרנזיסטור אפקט השדה פועל כרגיל. זרם ההפעלה של ה-MOSFET לא יעלה על מזהה. פרמטר זה יגרע כאשר טמפרטורת הצומת תגדל.
זרם מקור ניקוז דופק מרבי של IDM
משקף את רמת זרם הדופק שהמכשיר יכול להתמודד. פרמטר זה יקטן ככל שטמפרטורת הצומת תגדל. אם פרמטר זה קטן מדי, המערכת עלולה להיות בסיכון להתמוטט על ידי זרם במהלך בדיקת OCP.
PD פיזור הספק מרבי
זה מתייחס לפיזור הספק המקסימלי של מקור הניקוז המותר מבלי לפגוע בביצועים של טרנזיסטור אפקט השדה. בשימוש, צריכת החשמל בפועל של טרנזיסטור אפקט השדה צריכה להיות פחותה מזו של ה-PDSM ולהשאיר מרווח מסוים. פרמטר זה פוחת בדרך כלל כאשר טמפרטורת הצומת עולה.
TJ, TSTG טמפרטורת הפעלה וטווח טמפרטורת סביבת אחסון
שני פרמטרים אלו מכיילים את טווח טמפרטורת הצומת המותרת על ידי סביבת ההפעלה והאחסון של המכשיר. טווח טמפרטורות זה מוגדר לעמוד בדרישות חיי ההפעלה המינימליות של המכשיר. אם מובטח שהמכשיר יפעל בטווח טמפרטורות זה, חיי העבודה שלו יוארכו מאוד.
זמן פרסום: 15 בדצמבר 2023
