בחירת ה-MOSFET הנכון עבור מנהל ההתקן של המעגל הוא חלק חשוב מאודMOSFET הבחירה לא טובה תשפיע ישירות על היעילות של המעגל כולו ועל עלות הבעיה, להלן נאמר זווית סבירה לבחירת ה-MOSFET.
1, בחירת ערוץ N וערוץ P
(1), במעגלים נפוצים, כאשר MOSFET מוארק והעומס מחובר למתח המטען, ה-MOSFET מהווה מתג צד במתח נמוך. במתג צד של מתח נמוך, יש להשתמש ב-MOSFET N-channel, בשל שיקולים של המתח הנדרש כדי לכבות או להפעיל את המכשיר.
(2), כאשר ה-MOSFET מחובר לאוטובוס והעומס מוארק, יש להשתמש במתג צד של מתח גבוה. ערוץ PMOSFETs משמשים בדרך כלל בטופולוגיה זו, שוב משיקולי כונן מתח.
2, רוצה לבחור נכוןMOSFET, יש צורך לקבוע את המתח הנדרש להנעת דירוג המתח, כמו גם בתכנון הדרך הקלה ביותר ליישום. כאשר המתח הנקוב גדול יותר, המכשיר ידרוש באופן טבעי עלות גבוהה יותר. עבור עיצובים ניידים, מתחים נמוכים יותר נפוצים יותר, בעוד עבור עיצובים תעשייתיים נדרשים מתחים גבוהים יותר. בהתייחס לניסיון מעשי, המתח הנקוב צריך להיות גדול ממתח תא המטען או האוטובוס. זה יספק הגנת בטיחות מספקת כדי שה-MOSFET לא ייכשל.
3, ואחריו מבנה המעגל, דירוג הזרם צריך להיות הזרם המרבי שהעומס יכול לעמוד בו בכל הנסיבות, המבוסס גם על הבטיחות של ההיבטים הדרושים שיש לקחת בחשבון.
4. לבסוף, ביצועי המיתוג של ה-MOSFET נקבעים. ישנם פרמטרים רבים שמשפיעים על ביצועי המיתוג, אך החשובים ביותר הם gate/drain, gate/source ו-drain/source. קיבולים אלו יוצרים הפסדי מיתוג במכשיר מכיוון שיש לטעון אותם במהלך כל מתג.
זמן פרסום: 20 במאי 2024
