ל-MOSFETs (שפופרות אפקט שדה) יש בדרך כלל שלושה פינים, Gate (קיצור G), מקור (בקיצור S) ו- Drain (קיצור D). ניתן להבחין בין שלושת הפינים הללו בדרכים הבאות:
I. זיהוי סיכות
שער (G):בדרך כלל הוא מסומן "G" או שניתן לזהות אותו על ידי מדידת ההתנגדות לשני הפינים האחרים, מכיוון שלשער יש עכבה גבוהה מאוד במצב לא מופעל ואינו מחובר באופן משמעותי לשני הפינים האחרים.
מקור (S):בדרך כלל מסומן "S" או "S2", זהו פין הזרם הנוכחי והוא מחובר בדרך כלל למסוף השלילי של ה-MOSFET.
ניקוז (D):בדרך כלל מסומן "D", זהו סיכת הזרימה הנוכחית והוא מחובר למסוף החיובי של המעגל החיצוני.
II. פונקציית פינים
שער (G):זהו סיכת המפתח השולטת במיתוג של ה-MOSFET, על ידי שליטה במתח בשער כדי לשלוט בהפעלה וכיבוי של ה-MOSFET. במצב לא מופעל, עכבת השער בדרך כלל גבוהה מאוד, ללא חיבור משמעותי לשני הפינים האחרים.
מקור (S):הוא פין הזרם הנוכחי והוא מחובר בדרך כלל למסוף השלילי של ה-MOSFET. ב-NMOS, המקור בדרך כלל מקורקע (GND); ב-PMOS, המקור עשוי להיות מחובר לספק חיובי (VCC).
ניקוז (D):זהו סיכת הזרם החוצה והוא מחובר למסוף החיובי של המעגל החיצוני. ב-NMOS, הניקוז מחובר לאספקה חיובית (VCC) או לעומס; ב-PMOS, הניקוז מחובר לאדמה (GND) או לעומס.
III. שיטות מדידה
השתמש במולטימטר:
הגדר את המולטימטר להגדרת ההתנגדות המתאימה (למשל R x 1k).
השתמש במסוף השלילי של המולטימטר המחובר לכל אלקטרודה, בעט השני כדי ליצור קשר עם שני הקטבים הנותרים בתורו, כדי למדוד את ההתנגדות שלו.
אם שני ערכי ההתנגדות הנמדדים שווים בערך, מגע העט השלילי לשער (G), מכיוון שהשער ושני הפינים האחרים בין ההתנגדות בדרך כלל גדולים מאוד.
לאחר מכן, המולטימטר יחוייג להילוך R × 1, העט השחור מחובר למקור (S), העט האדום מחובר לניקוז (D), ערך ההתנגדות הנמדד צריך להיות כמה אוהם עד עשרות אוהם, המציין שהמקור והניקוז בין התנאים הספציפיים יכולים להיות הולכה.
שימו לב לסידור הפינים:
עבור MOSFETs עם סידור פינים מוגדר היטב (כגון כמה צורות חבילה), ניתן לקבוע את המיקום והתפקוד של כל פין על ידי התבוננות בתרשים סידור הפינים או בגליון הנתונים.
IV. אמצעי זהירות
לדגמים שונים של MOSFETs עשויים להיות סידורי פינים וסימונים שונים, לכן עדיף לעיין בגיליון הנתונים או בשרטוט החבילה עבור הדגם הספציפי לפני השימוש.
בעת מדידה וחיבור של הפינים, הקפד לשים לב להגנת חשמל סטטי כדי למנוע נזק ל-MOSFET.
MOSFETs הם מכשירים מבוקרי מתח עם מהירויות מיתוג מהירות, אך ביישומים מעשיים עדיין יש צורך לשים לב לתכנון ולאופטימיזציה של מעגל ההנעה כדי להבטיח שה-MOSFET יכול לעבוד בצורה תקינה ומהימנה.
לסיכום, ניתן להבחין במדויק בין שלושת הפינים של MOSFET בדרכים שונות כגון זיהוי פינים, תפקוד פינים ושיטות מדידה.
זמן פרסום: 19 בספטמבר 2024
