מעגלי אספקת חשמל, או מעגלי אספקת חשמל בתחום ההנעה, משתמשים בהכרחMOSFETs, שהם מסוגים רבים ובעלי פונקציות רבות. עבור מיתוג אספקת חשמל או יישומי הנעה, טבעי להשתמש בפונקציית המיתוג שלו.
ללא קשר לסוג N או P-typeMOSFET, העיקרון זהה במהותו, MOSFET מתווסף לשער של קצה החיבור של הזרם כדי לווסת את צד המוצא של זרם הניקוז, MOSFET הוא התקן מבוקר מתח שהוא מבוסס על הזרם שנוסף לשער ב- מניפולציה של מאפייני המכשיר, אינה נוטה לעבור כמו טרנזיסטור עקב זרם בסיס הנגרם על ידי אפקט אחסון המטען החיובי, ולכן, ביישום המיתוג, קצב המיתוג של MOSFET צריך להיות מהיר יותר מהטרנזיסטור. קצב המעבר צריך להיות מהיר יותר מהטריודה.
MOSFETגורמים לחימום בזרם קטן
1, עקרון המעגל של הבעיה הוא לתת ל-MOSFET לעבוד במצב הפעולה הליניארי, ולא במצב המיתוג. זה גם גורם לחום MOSFET. אם ה-N-MOS מיתוג, מתח הפעלה ברמת G מאשר ספק הכוח המיתוג כמה V, כדי להיות מופעל ומכבה לחלוטין, P-MOS הוא הפוך. לא לגמרי דולק והאובדן גדול מדי וכתוצאה מכך לפיזור הספק פלט, עכבת המעגל המקבילה DC אופיינית גדולה יותר, האובדן מורחב, כך שגם U * I מורחב, דלדול מייצג חום. זהו גם מעגל הבקרה של תוכנית התכנון השגוי הנמנע ביותר.
2, התדר גבוה מדי, בעיקר לפעמים יותר מדי מרדף אחר נפח מושלם, וכתוצאה מכך שיפור תדר, MOSFET על הרחבת הצריכה, כך גם החום גדל.
3, לא עשה מספיק תוכנית עיצוב הדרת חום, הזרם גבוה מדי, ערך הנוכחי סובלנות MOSFET, בדרך כלל צריך לשמור על הדרת חום טוב ניתן לעשות. לכן, הזיהוי נמוך מהזרם הגבוה יותר, הוא גם צפוי להתחמם רציני יותר, חייב להספיק כדי לסייע לגוף הקירור.
4, בחירת דגם MOSFET אינה נכונה, הספק המוצא אינו נכון, התנגדות MOSFET אינה נלקחת בחשבון, וכתוצאה מכך הרחבת עכבת המיתוג האופיינית.
MOSFET חימום זרם קטן יותר רציני איך לפתור?
1. קבל את תוכנית העיצוב של הדרת חום של MOSFET, עזור למספר מסוים של גופי קירור.
2. הדבק את דבק הרחקת החום.
זמן פרסום: יולי-11-2024
