לאילו פרמטרים עלי לשים לב בבחירת Triode ו-MOSFET?

לרכיבים אלקטרוניים יש פרמטרים חשמליים, וחשוב להשאיר מספיק מרווח לרכיבים האלקטרוניים בבחירת הסוג כדי להבטיח את היציבות והפעולה לטווח ארוך של הרכיבים האלקטרוניים. לאחר מכן הצג בקצרה את שיטת הבחירה Triode ו-MOSFET.

Triode הוא מכשיר מבוקר זרימה, MOSFET הוא מכשיר מבוקר מתח, יש קווי דמיון בין השניים, בבחירת הצורך להתחשב במתח, זרם ופרמטרים נוספים.

 

1, בהתאם לבחירת מתח העמידות המקסימלית

קולט טריודה C והפולט E יכולים לעמוד במתח המרבי בין הפרמטר V (BR) CEO, המתח בין ה-CE במהלך הפעולה לא יעלה על הערך שצוין, אחרת Triode תיפגע לצמיתות.

המתח המרבי קיים גם בין הניקוז D למקור S של ה-MOSFET במהלך השימוש, והמתח על פני DS במהלך הפעולה לא יעלה על הערך שצוין. באופן כללי, הערך עמיד במתח שלMOSFETהוא הרבה יותר גבוה מ-Triode.

 

2, יכולת זרם יתר המקסימלי

לטריודה יש ​​פרמטר ICM, כלומר, יכולת זרם יתר של אספן, ויכולת זרם היתר של MOSFET מתבטאת במונחים של מזהה. כאשר הפעולה הנוכחית, הזרם הזורם דרך ה-Triode/MOSFET לא יכול לחרוג מהערך שצוין, אחרת ההתקן יישרף.

בהתחשב ביציבות התפעולית, מותר בדרך כלל מרווח של 30%-50% או אפילו יותר.

3、טמפרטורת הפעלה

שבבים בדרגה מסחרית: טווח כללי של 0 עד +70 ℃;

שבבים בדרגה תעשייתית: טווח כללי של -40 עד +85 ℃;

שבבים בדרגה צבאית: טווח כללי של -55 ℃ עד +150 ℃;

בעת בחירת MOSFET, בחר את השבב המתאים בהתאם לאירוע השימוש במוצר.

 

4, לפי בחירת תדר המיתוג

גם טריודה וגםMOSFETיש פרמטרים של תדירות מיתוג/זמן תגובה. אם נעשה בו שימוש במעגלים בתדר גבוה, יש לראות שזמן התגובה של צינור המיתוג עומד בתנאי השימוש.

 

5、תנאי בחירה אחרים

לדוגמה, פרמטר ה-on-resistance Ron של ה-MOSFET, מתח ההדלקה של ה-VTH שלMOSFET, וכן הלאה.

 

כל אחד במבחר MOSFET, אתה יכול לשלב את הנקודות לעיל לבחירה.