ניתוח פרמטרים ומדידה של MOSFETs

זמן פרסום: יולי-07-2024

ישנם סוגים רבים של פרמטרים עיקריים שלMOSFET, המכילים זרם DC, פרמטרי זרם AC ופרמטרים מגבילים, אך היישום הכללי צריך לדאוג רק לפרמטרים הבסיסיים הבאים: מצב הרוויה של זרם מקור הדליפה IDSS מתח צביטה למעלה, טרנסמוליכות gm, מתח פירוק מקור דליפה BUDS, הספק פלט אובדן גדול יותר PDSM ומקור דליפה גדול יותר IDSM.

1. זרם מקור דליפה רווי

זרם מקור הניקוז הרווי IDSS פירושו זרם מקור הניקוז במתח השער UGS = 0 ב-MOSFET של שערים מבודדים מסוג צומת או דלדול.

2. מתח ניתוק

מתח ה-pinch-off UP פירושו מתח ההפעלה של מתח השער בשער שכבה מבודד מסוג צומת או דלדולMOSFETמה שהופך את מקור הניקוז לניתוק. גלה מה המשמעות של IDSS ו-UP בעצם.

3、הפעל מתח

מתח ההדלקה UT פירושו מתח ההפעלה של מתח השער ב-MOSFET מחוזק של שער מבודד כך שהחיבור בין מקור הניקוז מופעל. גלה מה המשמעות של UT בעצם.

4. הדרכה צולבת

ה-transguide gm משמש לציון יכולתו של מתח מקור השער לשלוט בזרם הניקוז, כלומר היחס בין שינוי זרם הניקוז לשינוי מתח מקור השער.

5、איבוד מירבי של כוח פלטr

הספק פלט אובדן מרבי שייך גם לפרמטר הגבול, כלומר הספק המרבי של אובדן מקור הניקוז שניתן לאפשר כאשר הביצועים שלMOSFETהוא נורמלי ולא מושפע. כאשר אנו משתמשים ב-MOSFET, ההפסד התפקודי שלו צריך להיות נמוך מה-PDSM וערך מסוים.

6、זרם מקור דליפה מקסימלי

זרם מקור הניקוז המרבי, IDSM, הוא גם פרמטר מגביל, כלומר הזרם המרבי המותר לעבור בין הניקוז למקור של MOSFET במהלך פעולה רגילה, ואסור לחרוג ממנו כאשר ה-MOSFET פועל.

olukey הפך לאחד הסוכנים הטובים והצומחים ביותר באסיה באמצעות פיתוח שוק פעיל ושילוב משאבים יעיל, והפיכתו לסוכן היקר ביותר בעולם היא המטרה המשותפת של olukey.