שיטת ייצור של מעגל נהיגה MOSFET בהספק גבוה

ישנם שני פתרונות עיקריים:

האחת היא שימוש בשבב דרייבר ייעודי להנעת ה-MOSFET, או שימוש במצמדי פוטו מהירים, טרנזיסטורים מהווים מעגל להנעת ה-MOSFET, אך הסוג הראשון של גישה דורש אספקת ספק כוח עצמאי; הסוג השני של שנאי דופק להנעת ה-MOSFET, ובמעגל ההנעה הדופק, כיצד לשפר את תדירות המיתוג של מעגל ההנעה כדי להגדיל את כושר ההנעה, ככל האפשר, כדי להפחית את מספר הרכיבים, הוא הצורך הדחוף לפתור אתבעיות נוכחיות.

הסוג הראשון של ערכת כונן, חצי גשר דורש שני ספקי כוח עצמאיים; גשר מלא דורש שלושה ספקי כוח עצמאיים, גם חצי גשר וגם גשר מלא, יותר מדי רכיבים, לא מועילים להפחתת עלויות.

הסוג השני של תוכנית נהיגה, והפטנט הוא הטכנולוגיה הקודמת הקרובה ביותר לשם ההמצאה "עוצמה גבוההMOSFET פטנט "מעגל כונן" (מספר יישום 200720309534. 8), הפטנט רק מוסיף התנגדות פריקה כדי לשחרר את מקור השער של טעינת MOSFET בעוצמה גבוהה, כדי להשיג את מטרת הכיבוי, הקצה הנופל של אות PWM גדול. הקצה הנופל של אות PWM גדול, מה שיוביל לכיבוי איטי של ה-MOSFET, אובדן החשמל גדול מאוד;

בנוסף, עבודת תוכנית הפטנט MOSFET רגישה להפרעות, ושבב בקרת ה-PWM צריך להיות בעל הספק פלט גדול, מה שהופך את טמפרטורת השבב גבוהה, מה שמשפיע על חיי השירות של השבב. תוכן ההמצאה מטרת מודל השירות הזה היא לספק מעגל כונן MOSFET בעל הספק גבוה, לעבוד יציב יותר ואפס כדי להשיג את מטרת הפתרון הטכני של המצאת מודל שימוש זה - מעגל כונן MOSFET בעל הספק גבוה, פלט האות של שבב בקרת PWM מחובר לשנאי הדופק הראשי, ה פלט ראשון oאם שנאי הפולסים המשני מחובר לשער ה-MOSFET הראשון, הפלט השני של שנאי הפולסים המשני מחובר לשער ה-MOSFET הראשון, הפלט השני של שנאי הפולסים המשני מחובר לשער ה-MOSFET הראשון. הפלט הראשון של שנאי הדופק המשני מחובר לשער של ה-MOSFET הראשון, הפלט השני של שנאי הדופק המשני מחובר לשער של ה-MOSFET השני, מאופיין בכך שהמוצא הראשון של שנאי הדופק המשני מחובר גם הוא. לטרנזיסטור הפריקה הראשון, והפלט השני של שנאי הדופק המשני מחובר גם לטרנזיסטור הפריקה השני. הצד הראשוני של שנאי הדופק מחובר גם למעגל אחסון ושחרור אנרגיה.

מעגל שחרור אגירת האנרגיה כולל נגד, קבל ודיודה, הנגד והקבל מחוברים במקביל, והמעגל המקביל הנ"ל מחובר בסדרה עם הדיודה. לדגם השירות יש השפעה מועילה לדגם השירות יש גם טרנזיסטור פריקה ראשון המחובר ליציאה הראשונה של השנאי המשני, וטרנזיסטור פריקה שני המחובר ליציאה השניה של שנאי הפולסים, כך שכאשר שנאי הפולסים מוציא יציאות נמוכה. ניתן לפרוק במהירות את ה-MOSFET הראשון וה-MOSFET השני כדי לשפר את מהירות הכיבוי של ה-MOSFET, וכדי להפחית את אובדן ה-MOSFET. האות של בקרת ה-PWM שבב מחובר להגברת האות MOSFET בין המוצא הראשוני לשנאי הדופק הראשוני, אשר יכול לשמש להגברת האות. פלט האות של שבב בקרת PWM ושנאי הפולסים הראשי מחוברים ל-MOSFET להגברת האות, מה שיכול לשפר עוד יותר את יכולת ההנעה של אות PWM.

שנאי הדופק הראשי מחובר גם למעגל שחרור אגירת אנרגיה, כאשר אות ה-PWM ברמה נמוכה, מעגל שחרור אגירת האנרגיה משחרר את האנרגיה האצורה בשנאי הפולסים כאשר ה-PWM ברמה גבוהה, מה שמבטיח שהשער המקור של ה-MOSFET הראשון וה-MOSFET השני נמוך ביותר, מה שמשחק תפקיד במניעת הפרעות.

ביישום ספציפי, MOSFET Q1 בעל הספק נמוך להגברת אותות מחובר בין מסוף מוצא האות A של שבב הבקרה PWM לבין הראשוני של שנאי הדופק Tl, מסוף המוצא הראשון של המשני של שנאי הדופק מחובר ל השער של ה-MOSFET Q4 הראשון דרך הדיודה D1 והנגד המניע Rl, מסוף המוצא השני של המשני של שנאי הדופק מחובר לשער של השני MOSFET Q5 דרך הדיודה D2 ונגד ההפעלה R2, ומסוף המוצא הראשון של המשני של שנאי הפולסים מחובר גם לטריודת הניקוז הראשונה Q2, ושלישיית הניקוז השנייה Q3 מחוברת גם היא לטריודת הניקוז השנייה Q3. MOSFET Q5, מסוף המוצא הראשון של שנאי הדופק המשני מחובר גם לטרנזיסטור ניקוז ראשון Q2, ומסוף המוצא השני של שנאי הדופק המשני מחובר גם הוא לטרנזיסטור ניקוז שני Q3.

השער של ה-MOSFET Q4 הראשון מחובר לנגד ניקוז R3, והשער של ה-MOSFET Q5 השני מחובר לנגד ניקוז R4. הראשוני של שנאי הפולסים Tl מחובר גם למעגל אחסון ושחרור אנרגיה, ומעגל אחסון ושחרור האנרגיה כולל נגד R5, קבל Cl ודיודה D3, והנגד R5 והקבל Cl מחוברים ב מקביל, והמעגל המקביל הנ"ל מחובר בסדרה עם הדיודה D3. פלט אות PWM משבב הבקרה של PWM מחובר ל-MOSFET Q2 בעל הספק נמוך, וה-MOSFET Q2 בעל הספק נמוך מחובר לשנאי הפולסים. מוגבר על ידי ה-MOSFET Ql בעל הספק נמוך ומוצא לראשי של שנאי הדופק Tl. כאשר אות ה-PWM גבוה, מסוף המוצא הראשון ומסוף המוצא השני של המשני של שנאי הדופק Tl מוציאים אותות ברמה גבוהה כדי להניע את ה-MOSFET Q4 הראשון ואת ה-MOSFET Q5 השני.

כאשר אות PWM נמוך, הפלט הראשון והפלט השני של שנאי הדופק Tl פלט משני ברמה נמוכה, טרנזיסטור הניקוז הראשון Q2 וטרנזיסטור הניקוז השני Q3, קיבול המקור הראשון של השער MOSFETQ4 דרך נגד הניקוז R3, טרנזיסטור הניקוז הראשון Q2 לפריקה, קיבול מקור השער MOSFETQ5 השני דרך נגד הניקוז R4, השני טרנזיסטור ניקוז Q3 לפריקה, קיבול מקור השער MOSFETQ5 השני דרך נגד הניקוז R4, טרנזיסטור הניקוז השני Q3 לפריקה, קיבול המקור השני של השער MOSFETQ5 דרך נגד הניקוז R4, טרנזיסטור הניקוז השני Q3 לפריקה. קיבול המקור השני של השער MOSFETQ5 נפרק דרך נגד הניקוז R4 וטרנזיסטור הניקוז השני Q3, כך שניתן לכבות את ה-MOSFET הראשון Q4 ואת ה-MOSFET Q5 השני מהר יותר ולהפחית את אובדן ההספק.

כאשר אות PWM נמוך, מעגל שחרור האנרגיה המאוחסנת המורכב מנגד R5, קבל Cl ודיודה D3 משחרר את האנרגיה האצורה בשנאי הדופק כאשר ה-PWM גבוה, ומבטיח שמקור השער של ה-MOSFET Q4 הראשון וה-MOSFET השני. Q5 נמוך במיוחד, מה שמשרת את המטרה של אנטי-הפרעות. דיודה Dl ודיודה D2 מוליכות את זרם הפלט באופן חד-כיווני, ובכך מבטיחות את איכות צורת הגל PWM, ובאותו הזמן, היא גם משחקת את התפקיד של אנטי-הפרעות במידה מסוימת.