תסתכל על MOSFETs

MOSFETs הם מבודדים MOSFETs במעגלים משולבים. MOSFETs, כאחד המכשירים הבסיסיים ביותר בהמוליך למחצה שדה, נמצאים בשימוש נרחב במעגלים ברמת הלוח וכן בתכנון IC. הניקוז והמקור שלמכשירי MOSFET ניתנים להחלפה, והם נוצרים בשער אחורי מסוג P עם אזור מסוג N. באופן כללי, שני המקורות ניתנים להחלפה, שניהם יוצרים אזור מסוג N ב-שער אחורי מסוג P. באופן כללי, שני האזורים הללו זהים, וגם אם שני החלקים הללו יוחלפו, ביצועי המכשיר לא יושפעו. לכן, המכשיר נחשב לסימטרי.

עִקָרוֹן:

MOSFET משתמש ב-VGS כדי לשלוט בכמות "המטען המושרה" כדי לשנות את מצב התעלה המוליכה שנוצרת על ידי "המטענים המושרים" הללו כדי לשלוט בזרם הניקוז. כאשר מיוצרים MOSFET, מספר רב של יונים חיוביים מופיעים בשכבת הבידוד באמצעות תהליכים מיוחדים, כך שניתן לחוש יותר מטענים שליליים בצד השני של הממשק, ואזור ה-N של הזיהומים בעלי החדירות הגבוהה מחובר באמצעות המטענים השליליים הללו, והערוץ המוליך נוצר, וזרם ניקוז גדול יחסית, ID, נוצר גם אם ה-VGS הוא 0. אם מתח השער משתנה, כמות המטען המושרה בערוץ גם משתנה, ורוחב הערוץ המוליך משתנה באותה מידה. אם מתח השער משתנה, ישתנה גם כמות המטען המושרה בערוץ, וגם הרוחב בערוץ המוליך ישתנה, כך שמזהה זרם הניקוז ישתנה יחד עם מתח השער.

תַפְקִיד:

1. ניתן להחיל אותו על מעגל המגבר. בגלל עכבת הכניסה הגבוהה של מגבר MOSFET, הקיבול של הצימוד יכול להיות קטן יותר ולא ניתן להשתמש בקבלים אלקטרוליטיים.

עכבת כניסה גבוהה מתאימה להמרת עכבה. הוא משמש לעתים קרובות להמרת עכבה בשלב הקלט של מגברים רב-שלביים.

3、זה יכול לשמש כנגד משתנה.

4, יכול לשמש כמתג אלקטרוני.

MOSFETs משמשים כעת במגוון רחב של יישומים, כולל ראשים בתדר גבוה בטלוויזיות ומתג ספקי כוח. בימינו, טרנזיסטורים רגילים דו-קוטביים ו-MOS מורכבים יחד ליצירת IGBT (טרנזיסטור דו-קוטבי של שער מבודד), שנמצא בשימוש נרחב באזורים בעלי הספק גבוה, ולמעגלים משולבים של MOS יש את המאפיין של צריכת חשמל נמוכה, וכעת נעשה שימוש נרחב במעבדים מעגלי MOS.