הבן את עקרון העבודה של MOSFET והחל רכיבים אלקטרוניים בצורה יעילה יותר

כאשר מתח מקור השער (VGS) של ה-MOSFET הוא אפס, אפילו עם הפעלת מתח מקור ניקוז (VDS), תמיד יש צומת PN בהטיה הפוכה, וכתוצאה מכך אין ערוץ מוליך (ואין זרם) בין הניקוז והמקור של ה-MOSFET. במצב זה, זרם הניקוז (ID) של ה-MOSFET הוא אפס. הפעלת מתח חיובי בין השער למקור (VGS > 0) יוצרת שדה חשמלי בשכבת הבידוד SiO2 בין השער של ה-MOSFET למצע הסיליקון, המופנה מהשער לכיוון מצע הסיליקון מסוג P. בהתחשב בכך ששכבת התחמוצת מבודדת, המתח המופעל על השער, VGS, אינו יכול ליצור זרם ב-MOSFET. במקום זאת, הוא יוצר קבל על פני שכבת התחמוצת.

כאשר VGS גדל בהדרגה, הקבל נטען, ויוצר שדה חשמלי. נמשכים על ידי המתח החיובי בשער, אלקטרונים רבים מצטברים בצד השני של הקבל, ויוצרים תעלה מוליכה מסוג N מהניקוז למקור ב-MOSFET. כאשר VGS חורג ממתח הסף VT (בדרך כלל סביב 2V), ערוץ ה-N של ה-MOSFET מוליך, ומתחיל את זרימת זרם הניקוז מזהה. מתח מקור השער שבו הערוץ מתחיל להיווצר מכונה מתח הסף VT. על ידי שליטה בגודל ה-VGS, וכתוצאה מכך בשדה החשמלי, ניתן לשנות את גודל מזהה זרם הניקוז ב-MOSFET.