מהם ארבעת האזורים של MOSFET?

ארבעת האזורים של MOSFET לשיפור ערוץ N

(1) אזור התנגדות משתנה (נקרא גם אזור בלתי רווי)

Ucs" Ucs (th) (מתח הדלקה), uDs" UGs-Ucs (th), הוא האזור משמאל לעקיבה המוקדמת באיור שבו הערוץ מופעל. הערך של UDs קטן באזור זה, והתנגדות הערוץ נשלטת בעצם רק על ידי UGs. כאשר uGs בטוח, ip ו-uDs לקשר ליניארי, האזור משוער כקבוצה של קווים ישרים. בשלב זה, צינור אפקט השדה D, S בין המקבילה למתח UGS

נשלט על ידי ההתנגדות המשתנה של המתח UGS.

(2) אזור זרם קבוע (ידוע גם כאזור רוויה, אזור הגברה, אזור פעיל)

Ucs ≥ Ucs (h) ו-Ubs ≥ UcsUssth), עבור הדמות של הצד הימני של ה-pre-pinch off track, אך עדיין לא מפורק באזור, באזור, כאשר ה-uGs חייב להיות, ib כמעט ולא שינוי עם UDs, הוא מאפיין זרם קבוע. i נשלט רק על ידי UGs, ואז MOSFETD, S שווה ערך לבקרת uGs מתח של מקור הזרם. MOSFET משמש במעגלי הגברה, בדרך כלל בעבודה של MOSFET D, S שווה ערך למקור זרם בקרת UGs. MOSFET המשמש במעגלי הגברה, פועל בדרך כלל באזור, ולכן ידוע גם כאזור ההגברה.

(3) אזור גזירה (נקרא גם אזור גזירה)

אזור חיתוך (הידוע גם כאזור חיתוך) כדי לעמוד ב-ucs "Ues (th) עבור הדמות ליד הציר האופקי של האזור, הערוץ כולו מהודק, הידוע כ-full clip off, io = 0 , הצינור לא עובד.

(4) מיקום אזור התמוטטות

אזור הפירוק ממוקם באזור בצד ימין של האיור. עם הגדלת ה-UDs, צומת PN נתון ליותר מדי מתח הפוך והתמוטטות, ip עולה בחדות. יש להפעיל את הצינור כדי להימנע מפעולה באזור התמוטטות. ניתן לגזור את עקומת מאפיין ההעברה מעקומת מאפיין הפלט. על השיטה המשמשת כגרף למצוא. לדוגמה, באיור 3 (א) עבור Ubs = 6V קו אנכי, החיתוך שלו עם העקומות השונות המתאימות לערכי i, Us בקואורדינטות ib- Uss המחוברות לעקומה, כלומר, כדי לקבל את עקומת מאפיין ההעברה.

פרמטרים שלMOSFET

ישנם פרמטרים רבים של MOSFET, כולל פרמטרי DC, פרמטרי AC ופרמטרים מגבילים, אך רק הפרמטרים העיקריים הבאים צריכים להיות מודאגים בשימוש נפוץ: זרם מקור ניקוז רווי IDSS צביטה מתח למעלה, (צינורות מסוג צומת ודלדול) צינורות מבודדים מסוג שער, או מתח הפעלה UT (צינורות מבודדים-שער מחוזקים), טרנס-מוליכות gm, מתח פירוק מקור דליפה BUDS, PDSM הספק מרבי וזרם מקור ניקוז מרבי IDSM.

(1) זרם ניקוז רווי

זרם הניקוז הרווי IDSS הוא זרם הניקוז בשער מבודד מסוג צומת או דלדול MOSFET כאשר מתח השער UGS = 0.

(2) מתח ניתוק

מתח ה-pinch-off UP הוא מתח השער ב-MOSFET מבודד מסוג צומת או דלדול שפשוט מנתק בין הניקוז למקור. כפי שמוצג ב-4-25 עבור צינור N-channel UGS, עקומת זיהוי, ניתן להבין כדי לראות את המשמעות של IDSS ו-UP

MOSFET ארבעה אזורים

(3) מתח הפעלה

מתח ההדלקה UT הוא מתח השער ב-MOSFET מחוזק של שער מבודד שהופך את המקור הבין-נקז-מוליך פשוט.

(4) טרנסמוליכות

הטרנסמוליכות gm היא יכולת הבקרה של מתח מקור השער UGS על מזהה זרם הניקוז, כלומר היחס בין השינוי במזהה זרם הניקוז לשינוי במתח מקור השער UGS. 9m הוא פרמטר חשוב השוקל את יכולת ההגברה שלMOSFET.

(5) מתח פירוק מקור ניקוז

מתח התמוטטות מקור הניקוז BUDS מתייחס למתח מקור השער UGS בטוח, פעולה רגילה של MOSFET יכולה לקבל את מתח מקור הניקוז המרבי. זהו פרמטר מגבלה, שנוסף למתח ההפעלה של MOSFET חייב להיות נמוך מ-BUDS.

(6) פיזור כוח מרבי

פיזור הספק מרבי PDSM הוא גם פרמטר גבול, מתייחס לMOSFETהביצועים אינם מתדרדרים כאשר פיזור כוח מקור הדליפה המרבי המותר. בעת שימוש ב-MOSFET צריכת החשמל המעשית צריכה להיות פחותה מה-PDSM ולהשאיר מרווח מסוים.

(7) זרם ניקוז מרבי

זרם דליפה מרבי IDSM הוא פרמטר גבול נוסף, מתייחס לפעולה הרגילה של ה-MOSFET, מקור הדליפה של הזרם המרבי המותר לעבור בזרם הפעולה של ה-MOSFET לא יעלה על ה-IDSM.

עיקרון ההפעלה של MOSFET

עקרון הפעולה של MOSFET (MOSFET להגברת N-channel) הוא להשתמש ב-VGS כדי לשלוט בכמות "המטען האינדוקטיבי", על מנת לשנות את מצב הערוץ המוליך שנוצר על ידי ה"מטען האינדוקטיבי" הללו, ולאחר מכן להשיג את המטרה. של שליטה בזרם הניקוז. המטרה היא לשלוט בזרם הניקוז. בייצור צינורות, באמצעות תהליך יצירת מספר רב של יונים חיוביים בשכבת הבידוד, כך שבצד השני של הממשק ניתן להשרות מטענים שליליים נוספים, ניתן להשרות מטענים שליליים אלו.

כאשר מתח השער משתנה, משתנה גם כמות המטען המושרה בערוץ, גם רוחב הערוץ המוליך משתנה, וכך משתנה זרם הניקוז מזהה עם מתח השער.

תפקיד MOSFET

I. MOSFET יכול להיות מיושם להגברה. בגלל עכבת הכניסה הגבוהה של מגבר MOSFET, קבל הצימוד יכול להיות קטן יותר, ללא שימוש בקבלים אלקטרוליטיים.

שנית, עכבת הכניסה הגבוהה של MOSFET מתאימה מאוד להמרת עכבה. בשימוש נפוץ בשלב כניסת מגבר רב-שלבי להמרת עכבה.

MOSFET יכול לשמש כנגד משתנה.

רביעית, MOSFET יכול לשמש בקלות כמקור זרם קבוע.

חמישית, MOSFET יכול לשמש כמתג אלקטרוני.